【AO810V2 3BSE038415R1】
20世紀(jì)60年代以后,電力電子器件經(jīng)歷了SCR(晶閘管)、GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)、BJT(雙極型功率晶體管)、MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管)、SIT(靜電感應(yīng)晶體管)、SITH(靜電感應(yīng)晶閘管)、MGT(MOS控制晶體管)、MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)的發(fā)展過程,器件的更新促進(jìn)了電力電子變換技術(shù)的不斷發(fā)展(注意,正因?yàn)槿绱耍宰冾l器的產(chǎn)生便是在這個(gè)背景下的)。
AB 1756-CN2
網(wǎng)絡(luò)處理模件ABB INNPM12
CVST21015-A43
MVI56-PDPMV1
3008 TRICONEX 3008
DSQC 679
810-017034-005
FBM224(FBM224)
KF-C1000【KUBOTA】
3580207-01
變頻器中也存在一些數(shù)值型(如頻率、電壓等)指令信號(hào)的輸入,可分為數(shù)字輸入和模擬輸入兩種,數(shù)字輸入多采用變頻器面板上的鍵盤操作和串行接口來設(shè)定。模擬輸入則通過接線端子由外部給定,通常是通過0~10V/5V 的電壓信號(hào)或4~20mA的電流信號(hào)輸入。由于接口電路因輸入信號(hào)而異,必須根據(jù)變頻器的輸入阻抗選擇PLC的輸出模塊
KUKA 00-134-525
MVME5110-2261-MPC7410
369-HI-R-0-0-0
MITY-SERVO VEO-04
ABB 07EB62R1
lnvensys 4329
IS215VCMIH2B/GE美國
DSQC608 3HAC12934-1
07KT97 07KT97
YOKOGAWA ATK4A-S1
20世紀(jì)60年代以后,電力電子器件經(jīng)歷了SCR(晶閘管)、GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)、BJT(雙極型功率晶體管)、MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管)、SIT(靜電感應(yīng)晶體管)、SITH(靜電感應(yīng)晶閘管)、MGT(MOS控制晶體管)、MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)的發(fā)展過程,器件的更新促進(jìn)了電力電子變換技術(shù)的不斷發(fā)展(注意,正因?yàn)槿绱?,所以變頻器的產(chǎn)生便是在這個(gè)背景下的)。
IS215ACLEH1A
YASKAWA JAMSC-B2602A
ENRZ-CVMN2-100
5136-DNP-PCM-ST
1756-L73
TK-PRR021
橫河YOKOGAWA AAI141-S50
Anritsu KL1301BMBH
3DBP PCB 4535 670
FBM04 P0400YE
變頻器的SVPWM控制方式是以三相波形整體生成效果為前提,以逼近電機(jī)氣隙的理想圓形旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)軌跡為目的,一次生成三相調(diào)制波形,以內(nèi)切多邊形逼近圓的方式進(jìn)行控制的。
PS416 AIO-400
IS200TSVOH1B【GE燃機(jī)控制模塊】
7IF311.7 7IF321.7
F-DMDM-PM-110E
U508-012W18/E501000C30
IC693CPU364
PQMII-T20-C-A
TRICON 3006現(xiàn)貨
IC697BEM731有特價(jià)
SAFT-188-IOC SAFT 188
漏電保護(hù)器的主要部件是個(gè)磁環(huán)感應(yīng)器,火線和零線采用并列繞法在磁環(huán)上纏繞幾圈,在磁環(huán)上還有個(gè)次級(jí)線圈.當(dāng)同一相的火線和零線在正常工作時(shí),電流產(chǎn)生的磁通正好抵銷,在次級(jí)線圈不會(huì)感應(yīng)出電壓.如果某一線有漏電,或未接零線,在磁環(huán)中通過的火線和零線的電流就會(huì)不平衡,而產(chǎn)生穿過磁環(huán)的磁通,在次級(jí)線圈中感應(yīng)出電壓,通過電磁鐵使脫扣器動(dòng)作跳閘.
CPL7420 1 溫度模塊
DS200LDCCH1AKA
F-DMDM-PM-110E
EPRO SEM 010
DS3800NPSE1E1G GE燃機(jī)控制模塊
IMSED01 ABB貝利模塊
DSQC652 CI830
1336-WB009
GE FANUC IC697ALG320
MVME 162-220
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